電子特氣 | 超高純氨中微量雜質的分析

氨氣（NH3）是半導體制造中的一種重要工藝化學品。它常用于沉積硅氮化物，也用于氮化處理或沉積其他氮化物。它用于化學氣相沉積（CVD）和等離子體蝕刻過程。

氨氣帶來了特定的困難，因為液態氨中含有固體和揮發性雜質，其中許多雜質如果在制造過程中存在，會對電子組件造成損害。雜質的水平可能根據來源以及處理方法有很大的差異，所有這些雜質必須在氨氣用于電子組件生產線之前被去除。

為了達到這個標準，生產設施不得不以相當的成本從有限的能夠提供可接受等級的氨的來源處獲得高質量的氨。只能使用合格的供應商，新的供應商在他們的產品被接受之前必須經過資格認證。

交通部的規定提出了進一步的限制，即水合氨必須以不超過30%的氨濃度運輸。

由于這些原因，在半導體設施中對氨氣中的雜質進行ppb分析至關重要。氣相色譜法是一種分析技術，可以準確測量氨氣樣品中的ppb痕量雜質。該技術確保了對背景氣體無干擾，并對要測量的雜質具有良好的靈敏度。

氨的純度可以通過配置有PED的MultiDetek3氣相色譜儀進行定性定量分析。

該裝置配置了0-5ppm的測量范圍和3-5ppb的檢測限（ldl）用于檢測樣品氣體超高純氨（UHP氨氣，NH3）中的雜質H2、O2、N2、CO、CO2、CH4、CO2、C2H6、C3H8和C4H10。PED（等離子體發射檢測器）已安裝在氣相色譜儀（GC）中，使用氦氣作為載氣來測量UHP NH3中的ppb級雜質。所有之前列出的雜質都在一個分析器內進行測量。

由于氨氣被列為一種非常有毒的氣體，我們的氣相色譜儀配置提供了一個特定的樣品流路配置。

其他配置和量程/LDL也是可以的。參數主要取決于現場生產需求和流程。

一系列微量雜質H2-O2-N2-CO-CH4-CO2-C2H6-C3H8-C4H10在超高純氨氣中的色譜圖（量程校準）

A series of chromatograms (Span calibration) of trace impurities H2-O2-N2-CO-CH4-CO2-C2H6-C3H8-C4H10 in bal-ance gas UHP Ammonia (NH3)

檢出限（基于空白樣本噪聲水平的三倍）

Limit of detection (based on 3 times the noise level from a blank)

重復性：基于氣相色譜（GC）標準。使用10次連續運行中的6次，其值低于3倍CV%的5%。?

線性：基于氣相色譜（GC）標準。線性曲線的R2值在0.998到1.00之間。?

準確性：基于氣相色譜（GC）標準。誤差小于或等于1%或ldl（低檢測限），取二者中較高者。?

配備了PED模塊的MultiDetek3為半導體氨氣的質量驗證和生產提供了良好的微量ppb/ppm雜質分析解決方案。該氣相色譜儀配置了標準的工業通信協議和遠程控制界面。由于其高靈敏度的等離子體發射檢測器，使用MultiDetek3氣相色譜儀測量微量雜質可達到亞ppb級別，非常適合半導體氨氣。MultiDetek3是一種非常堅固的氣體分析儀，專為工業市場設計，可實現24/7連續運行。結合其他LDetek附件模塊，它滿足了工業應用的完整需求。